直流磁控濺射法制備TiO2薄膜的研究

直流磁控濺射法制備TiO2薄膜的研究

論術(shù)采用直流磁控濺射法制備TiO2薄膜的實(shí)驗(yàn)研究. 研究了氧流量、基片溫度對(duì)制備TiO2薄膜的影響, 并測(cè)量了薄膜的晶相結(jié)構(gòu)和表面形貌, 結(jié)果表明制備出了具有銳鈦礦晶體結(jié)構(gòu)的TiO2薄膜.

作 者： 劉子麗 肖峻 蔣向東 孫繼偉 LIU Zi-li XIAO Jun JIANG Xiang-dong SUN Ji-wei   作者單位： 劉子麗,肖峻,LIU Zi-li,XIAO Jun(西南民族大學(xué)電氣信息工程學(xué)院,成都,610041)

蔣向東,孫繼偉,JIANG Xiang-dong,SUN Ji-wei(電子科技大學(xué)光電信息學(xué)院,成都,610054) 

刊 名： 西南民族大學(xué)學(xué)報(bào)（自然科學(xué)版）  ISTIC 英文刊名： JOURNAL OF SOUTHWEST UNIVERSITY FOR NATIONALITIES(NATRUAL SCIENCE EDITION)  年，卷(期)： 2009 35(6)  分類號(hào)： O48  關(guān)鍵詞： TiO2薄膜   直流磁控濺射   氧流量   基片溫度  

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