金屬摻雜多孔硅薄膜的制備及熒光光譜研究

金屬摻雜多孔硅薄膜的制備及熒光光譜研究

用電化學(xué)方法對(duì)多孔硅薄膜進(jìn)行了金屬摻雜.用熒光分光光度計(jì)分析了樣品的光致發(fā)光特性,結(jié)果表明,適量的金屬摻雜增強(qiáng)了多孔硅的紅光發(fā)射,氧化性金屬摻雜還增強(qiáng)了多孔硅的藍(lán)光發(fā)射,還原性金屬摻雜卻無此現(xiàn)象.紅外吸收譜表明,金屬摻雜多孔硅后Si-O-Si鍵振動(dòng)增強(qiáng).XRD譜表明,氧化性金屬摻雜后多孔硅的無定形程度增強(qiáng).對(duì)分析結(jié)果的解釋為:紅光增強(qiáng)是金屬摻雜引入新的缺陷和硅、氧、金屬間新的鍵態(tài)Si-Metal,Metal-O,Metal-Metal所致,而藍(lán)光增強(qiáng)是無定形程度增強(qiáng),應(yīng)力增大和進(jìn)一步氧化所致.

作 者： 孫小菁 馬書懿 魏晉軍 徐小麗 SUN Xiao-jing MA Shu-yi WEI Jin-jun XU Xiao-li   作者單位： 西北師范大學(xué),物理與電子工程學(xué)院,甘肅,蘭州,730070  刊 名： 西北師范大學(xué)學(xué)報(bào)（自然科學(xué)版）  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF NORTHWEST NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)  年，卷(期)： 2007 43(6)  分類號(hào)： O469 TB383  關(guān)鍵詞： 金屬摻雜多孔硅   電化學(xué)   光致發(fā)光   X射線衍射   紅外吸收  

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