激光誘導(dǎo)多孔硅晶格畸變的Raman光譜和光致發(fā)光譜研究

時(shí)間:2023-04-29 20:48:17 數(shù)理化學(xué)論文 我要投稿
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激光誘導(dǎo)多孔硅晶格畸變的Raman光譜和光致發(fā)光譜研究

研究了摻鈦水熱法制備多孔硅的Raman光譜和光致發(fā)光譜.實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),當(dāng)激光功率較低時(shí),多孔硅的Raman光譜在略低于520cm-1附近表現(xiàn)為一銳的單峰,和晶體硅的Raman光譜類似.隨激光功率增大,該單峰向低波數(shù)移動(dòng),Ramar和光致發(fā)光峰的強(qiáng)度與激光強(qiáng)度的一次方成正比.當(dāng)激光功率增大到一定值時(shí),該單峰分裂成兩個(gè)Raman峰,光致發(fā)光譜的強(qiáng)度突然增大,與激光強(qiáng)度之間不再滿足一次方的關(guān)系,位于低波數(shù)一側(cè)的Raman峰隨激光功率增大進(jìn)一步向低波數(shù)移動(dòng).多孔硅Raman光譜隨激光功率的變化是由于激光誘導(dǎo)多孔硅的晶格畸變,導(dǎo)致LO和TO模的簡(jiǎn)并解除引起的.同時(shí),激光誘導(dǎo)晶格畸變可能使多孔硅由線性變?yōu)榉蔷性光學(xué)材料,而且具有非常大的光致非線性吸收系數(shù).更重要的是,多孔硅的Raman光譜和光致發(fā)光譜隨激光功率變化的現(xiàn)象是可逆的,這可能預(yù)示著多孔硅一些新的應(yīng)用.

激光誘導(dǎo)多孔硅晶格畸變的Raman光譜和光致發(fā)光譜研究

作 者: 梁二軍 晁明舉   作者單位: 鄭州大學(xué)河南省激光應(yīng)用技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,鄭州,450052  刊 名: 物理學(xué)報(bào)  ISTIC SCI PKU 英文刊名: ACTA PHYSICA SINICA  年,卷(期): 2001 50(11)  分類號(hào): O4  關(guān)鍵詞: 多孔硅   Raman光譜   光致發(fā)光  

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