轟擊離子能量對CNx薄膜中sp3 型C-N鍵含量的影響

轟擊離子能量對CNx薄膜中sp3 型C-N鍵含量的影響

對磁控濺射生長在單晶Si(001)襯底上的CNx薄膜樣品的化學(xué)鍵合及結(jié)構(gòu)進行了研究. 利用不同的襯底負偏壓(Vb)來控制轟擊襯底表面的入射離子能量, 從而影響膜中的化學(xué)鍵合的狀態(tài). 樣品的FTIR, Raman和XPS分析結(jié)果表明, CNx薄膜中N原子分別與sp, sp2和sp3雜化狀態(tài)的C原子結(jié)合, 其中sp3型C-N鍵含量先隨著襯底偏壓(Vb)的升高而增加, 并在偏壓Vb=-50 V時達到最大值, 但隨著Vb繼續(xù)升高, sp3型C-N鍵含量減少. 這表明CNx薄膜中, sp3型C-N鍵的含量與轟擊離子的能量變化密切相關(guān).

作 者： 李俊杰 曹培江 鄭偉濤 呂憲義 卞海蛟 金曾孫   作者單位： 李俊杰(吉林大學(xué)超硬材料國家重點實驗室,長春,130023;延邊大學(xué)理工學(xué)院,延吉,133002)

曹培江,呂憲義,金曾孫(吉林大學(xué)超硬材料國家重點實驗室,長春,130023)

鄭偉濤,卞海蛟(吉林大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,長春,130023) 

刊 名： 高等學(xué)�；瘜W(xué)學(xué)報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES  年，卷(期)： 2003 24(5)  分類號： O484.5  關(guān)鍵詞： CNx薄膜   化學(xué)鍵合   sp3 C-N鍵  

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