氯離子對銅在玻碳電極上電結(jié)晶的影響

氯離子對銅在玻碳電極上電結(jié)晶的影響

采用線性掃描伏安法和計(jì)時(shí)安培法研究了硫酸銅溶液中銅在玻碳電極上電結(jié)晶的初期行為.在含與不含氯離子的0.05 mol@L-1CuSO4-0.5 mol@L-1H2SO4電解液中,循環(huán)伏安實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明銅在玻碳基體上的沉積沒有經(jīng)過UPD過程;氯離子明顯使Cu的沉積和氧化峰變得尖銳,促進(jìn)Cu的沉積速度.計(jì)時(shí)安培實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,Cu的電結(jié)晶按瞬時(shí)成核和三維生長方式進(jìn)行.氯離子不改變Cu的電結(jié)晶機(jī)理,但在I～t曲線中,導(dǎo)致電流達(dá)最大(Im)所需的時(shí)間tm減小、晶核數(shù)密度和生長速度增大,從而明顯改變Cu沉積層的質(zhì)量.當(dāng)Cl-濃度在10～20mg@L-1范圍內(nèi),成核的晶核數(shù)密度達(dá)較大,即氯離子的最適宜添加量.

作 者： 辜敏 楊防祖 黃令 姚士冰 周紹民   作者單位： 辜敏(汕頭大學(xué)化學(xué)系,汕頭,515063;廈門大學(xué)化學(xué)系固體表面物理化學(xué)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,廈門,361005)

楊防祖,黃令,姚士冰,周紹民(廈門大學(xué)化學(xué)系固體表面物理化學(xué)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,廈門,361005) 

刊 名： 化學(xué)學(xué)報(bào)  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA CHIMICA SINICA  年，卷(期)： 2002 60(11)  分類號： O6  關(guān)鍵詞： 銅   氯離子   玻碳   電結(jié)晶  

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