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射頻反應(yīng)濺射制備的ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)和發(fā)光特性
用射頻反應(yīng)濺射在硅(100)襯底上生長(zhǎng)了c軸擇優(yōu)取向的ZnO薄膜,用X射線衍射儀、熒光分光光度計(jì)和X射線光電子能譜儀對(duì)樣品進(jìn)行了表征,分析研究了濺射功率、襯底溫度對(duì)樣品的結(jié)構(gòu)和發(fā)光特性的影響.結(jié)果表明,濺射功率100W,襯底溫度300～400℃時(shí),適合c軸擇優(yōu)取向和應(yīng)力小的ZnO薄膜的生長(zhǎng).在樣品的室溫光致發(fā)光譜中觀察到了380nm的紫外激子峰和峰位在430 nm附近的藍(lán)光帶,并對(duì)藍(lán)光帶的起源進(jìn)行了初步探討.
作 者： 朋興平 王志光 宋銀 季濤 臧航 楊映虎 金運(yùn)范 作者單位： 朋興平(中國(guó)科學(xué)院近代物理研究所,蘭州,730000;蘭州大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,蘭州,730000)王志光,宋銀,臧航,金運(yùn)范(中國(guó)科學(xué)院近代物理研究所,蘭州,730000)
季濤,楊映虎(蘭州大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,蘭州,730000)
刊 名： 中國(guó)科學(xué)G輯 ISTIC PKU 英文刊名： SCIENCE IN CHINA(SERIES G) 年，卷(期)： 2007 37(2) 分類號(hào)： O6 關(guān)鍵詞： ZnO薄膜 X射線衍射譜 光致發(fā)光譜 襯底溫度 射頻反應(yīng)濺射【射頻反應(yīng)濺射制備的ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)和發(fā)光特性】相關(guān)文章：
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