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硅微機(jī)械陀螺儀結(jié)構(gòu)中的電容分析
為減小雜散電容提高信噪比,分析了硅微機(jī)械陀螺儀結(jié)構(gòu)中的電容.并以某硅微機(jī)械陀螺儀的理論模型為對(duì)象,建立了陀螺儀結(jié)構(gòu)中的電容模型.對(duì)每種電容進(jìn)行了理論分析,并借助電路仿真軟件對(duì)模型進(jìn)行了仿真,分析了雜散電容對(duì)輸出的影響,結(jié)果表明布線與活動(dòng)結(jié)構(gòu)間的電容對(duì)輸出有很大的影響.提出了采用新工藝和合理的布線方法減小與活動(dòng)結(jié)構(gòu)間的電容,從而提高信噪比.
作 者： 施芹 王壽榮 楊波 SHI Qin WANG Shou-rong YANG Bo 作者單位： 東南大學(xué),儀器科學(xué)與工程系,江蘇,南京,210096 刊 名： 測(cè)控技術(shù) ISTIC PKU 英文刊名： MEASUREMENT & CONTROL TECHNOLOGY 年，卷(期)： 2005 24(11) 分類號(hào)： V241.5+54 O472 關(guān)鍵詞： 硅微機(jī)械陀螺儀 信噪比 雜散電容 電容模型【硅微機(jī)械陀螺儀結(jié)構(gòu)中的電容分析】相關(guān)文章：
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